SiGe HBT集电结空间电荷区渡越时间模型

摘要：

集电结空间电荷区的渡越时间是影响晶体管交流放大系数和频率特性的重要参数.本文分三种情况求解了SiGeHBT集电结耗尽层宽度,建立了不同集电极电流密度、包括基区扩展效应条件下的集电结空间电荷区渡越时间模型,并利用MATLAB对该模型进行了模拟与分析,定量地研究了不同的集电结反偏电压、集电区掺杂和宽度对集电结空间电荷区渡越时间的不同影响.

关键词： SiGe 异质结双极晶体管 集电结空间电荷区 渡越时间

作者: 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 宣荣喜 俞智刚 王喜媛

作者单位: 西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,7100712

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 474-478

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）