可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT等效电路模型

摘要：

本文基于SiGeHBT的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.本文将该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEQ(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGeHBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.

关键词： SiGe 异质结双极晶体管 等效电路模型 PSPICE

作者: 区健锋 张鹤鸣 胡辉勇 戴显英 宣荣喜 俞智刚 王喜媛

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 468-473

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）