SiGe HBT传输电流模型研究

摘要：

本文考虑了基区扩展效应、准饱和效应、速度饱和效应、自热效应、厄利效应、大注入效应以及发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,在得出HBT正、反向工作电流解析模型的基础上,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析.

关键词： SiGe 异质结双极晶体管 传输电流 PSPICE

作者: 王顺祥 张鹤鸣 戴显英 朱永刚 马何平

作者单位: 西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 462-467

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）