AlxGa1-xN/GaN量子阱沟道电子面密度模型

摘要：

本文在考虑了AlxGa1-xN/GaN异质结压电和自发极化效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了AlxGa1-xN/GaN量子阱沟道中电子面密度和阈值电压模型.应用MATLAB软件对该模型进行了数值分析,结果表明极化效应对电子面密度和器件阈值电压影响较大.本文还讨论了器件中Al组分和势垒层厚度静态时对量子阱电子面密度的影响,以及它们对器件阈值电压VT的影响,并对其进行了模拟.

关键词： 极化效应 电子面密度 量子阱

作者: 俞智刚 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英

作者单位: 西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 457-461

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）