SiC PiN二极管理论模型研究

摘要：

本文对SiC半导体材料特性作了比较和讨论,说明了SiC在微波大功率应用方面的优势.通过对SiPiN二极管经典理论的修正和补充提出了能够真正反映SiCPiN二极管特性的器件模型,如根据SiC中存在的多重杂质能级而引入多级复合模型来描述其正向特性;反向特性的分析中考虑了反向电流与器件周长/面积比的关系等等.

关键词： 碳化硅PiN二极管 多级复合模型 RAF技术 终端技术

作者: 韩茹 杨银堂

作者单位: 西安电子科技大学微电子所,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 448-452

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）