制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

摘要：

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,也就是意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.

关键词： Ge2Sb2Te5薄膜 电学性能 制备条件 相变

作者: 夏吉林 刘波 宋志棠 封松林

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 440-443

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）