一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制
本文介绍了一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制,该器件为P+/P/N/N+的双漂移结构,对外延层与衬底之间的过渡区宽度以及外延之间的宽度和掺杂浓度有特殊要求,通过外延工艺的改进,使得漂移区宽度以及P区和N区的掺杂浓度得到精确控制,提高了器件微波性能.
外延 过渡区宽度 毫米波 IMPATT二极管
谭卫东 马利行 唐有青 张文清 骆红 王霄
南京国盛电子有限公司,南京,210038 南京电子器件研究所,南京,210016
国内会议
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430-431
2005-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)