硅基PZT厚膜的MEMS兼容性研究
为解决硅基PZT厚膜在作为压电驱动元件时的MEMS兼容性问题,采用丝网印刷方法分别制作了以SiO2,Si3N4,和Pt-Ti/SiO2作为隔离层的硅基PZT厚膜样品,对烧结引起的PZT/隔离层/Si之间的互扩散现象,进行了显微分析和能谱仪分析,得出SiO2、Si3N4均会和PZT发生化学反应,Pb向Si中扩散严重;而Pt-Ti/SiO2能阻挡PZT和Si之间的互扩散.提出了一种新颖的双杯硅基PZT厚膜压电驱动结构,并进行了工艺研制,该结构工艺简单,MEMS兼容性好,适合作为片内驱动元件.
MEMS 硅基PZT厚膜 驱动元件 兼容工艺
王蔚 刘晓为 王喜莲 鲍志勇
哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001
国内会议
北京
中文
426-429
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）