会议专题

超长六角多型纳米碳化硅晶须的光学性质

本文采用改进的PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)技术首次制备出六角多型碳化硅纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18-50nm之间.长度为0.3um-6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米碳化硅晶须.紫外光激发出现高强度蓝光发射.同时在550nm-620nm和700nm-750nm处分别出现两宽带发射,其中蓝光发射带经计算,4H-碳化硅带隙为3.98eV,这一发光现象与量子力学计算结果不符,说明了碳化硅晶须光学性质特殊性.

纳米晶须 六角多型碳化硅 光学性质

张洪涛 Uli.Lemmer Georg.Bastian

湖北工业大学,电气与电子工程学院,武汉,430068 Karlsruhe University,Faculty of Electronics and Information Technology, Germany,76121

国内会议

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

北京

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422-425

2005-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)