用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料的研究

摘要：

本文利用减压化学气相沉积技术,制备出应变硅/Si0.85Ge0.15/组分渐变SiGe/Si衬底结构.通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度,以及适当优化固定组分Si0.85Ge0.15层的外延生长工艺,可以有效降低表面粗糙度和位错密度.原子力显微镜分析表明:表面粗糙度可以从3.07nm改善到0.75nm.表面应变硅层应变度约0.6﹪,位错密度约为5×104cm-2.

关键词： 应变硅 锗硅虚衬底 减压化学气相沉积

作者: 王敬 梁仁荣 徐阳 刘志弘 许军 钱佩信

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 408-411

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）