Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理

摘要：

基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力得到了完全的释放.原子力显微镜照片和透射电镜照片均表明在应力释放过程中未引入位错和缺陷.我们通过”容忍型”衬底的理论来解释氧化过程所涉及的应力释放.在氧化过程中,由于埋层SiO2在高温条件下具有流动性,所以SiGe层可以在其上滑移,从而释放应力.

关键词： SiGe 应力释放 氧化 扩散 Ge浓缩技术 SGOI材料

作者: 刘卫丽 狄增峰 张苗 骆苏华 宋志棠 朱剑豪 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 香港城市大学物理与材料学系等离子实验室,香港

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 381-384

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）