UHVCVD低温外延的表面粗糙度研究

摘要：

本文利用AFM测量不同生长条件下的Si或SiGe外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气体流量.对于SiGe外延材料,实践中发现粗糙度改变了表面对光的作用,因此可利用所谓的”氧化层”厚度在一定程度上间接地反映表面的粗糙程度.

关键词： SiGe外延 表面质量 Si外延 粗糙度 超高真空化学气相沉积

作者: 张伟 岳磊 王玉东

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 401-402

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）