改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究
SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达18﹪的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期时Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.
SGOI材料 Ge浓缩技术 氧化退火
张苗 狄增峰 刘卫丽 骆苏华 宋志棠 朱剑豪 林成鲁
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 香港城市大学物理与材料学系等离子实验室,香港
国内会议
北京
中文
389-393
2005-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)