掺金属W对NiSi薄膜热稳定性改善的研究
本文首次提出在Ni中掺入夹层W金属来提高NiSi硅化物的热稳定性.实验结果表明,经650～800℃快速热退火后,Ni(W)Si薄膜的薄层电阻率保持较小值,小于3Ω/□.XRD和Raman光谱分析均表明,Ni(W)Si薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃.运用吉布斯自由能理论给出了NiSi硅化物热稳定性得以改善的合理解释.研制的Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管的肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度约为0.64eV.
NiSi薄膜 热稳定性 掺金属W
黄伟 张利春 高玉芝 金海岩 宁宝俊 张广勤
北京大学微电子学研究院,北京,100871
国内会议
北京
中文
365-369
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）