硅衬底上氮掺杂ZnO薄膜的光致发光

摘要：

用Al-N共掺方法在Si衬底上制备出了p型ZnO薄膜.光致发光谱表明其发光峰位于3.1eV附近,且随着生长温度升高发生红移.结合吸收谱分析表明,该发光峰起源于局域化的载流子.讨论了局域化载流子的形成原因.

关键词： 硅衬底 氮掺杂 ZnO薄膜 光致发光

作者: 何海平 叶志镇 诸葛飞 朱丽萍 王发展 赵炳辉 黄靖云

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 337-340

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）