SOI NMOSFET总剂量辐射效应偏置依赖关系的模拟

摘要：

本次工作使用MEDICI二维器件模拟软件,建立新型的BUSFET带体接触的SOINMOSFET器件模型,对不同偏置状态下掩埋氧化层中电场强度进行模拟.得到了不同偏置状态下器件内部的电场强度分布,通过对比分析,解释偏置状态影响总剂量辐射效应的原因.

关键词： SOI 总剂量辐射效应 背栅阈值电压 掩埋氧化层 偏置状态

作者: 俞文杰 张正选 郭天雷

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 321-323

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）