SiGe单晶的生长及其性能的研究

摘要：

本文对SiGe单晶的生长原理及生长方法进行了研究,并对自行研制的PMCZ生长法进行了阐述.同时对利用该方法生长出的掺杂不同锗浓度的SiGe单晶各种性能进行了探讨.结果发现,在磁场作用下,锗杂质的纵向分布均匀性得到了提高;随Ge含量的增大,单晶中氧杂质浓度逐渐下降,机械强度逐渐增强;随Ge的掺入,Si的红外吸收峰出现了在710cm-1及800cm-1波数处的明显新峰.

关键词： 晶体生长 SiGe单晶 杂质分布 机械强度 光学性质

作者: 牛新环 张维连 张书玉 索开南 檀柏梅

作者单位: 信息工程学院 材料学院,河北工业大学,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 316-320

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）