自组织SiGe量子环的生长与形貌维持

摘要：

本文研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌为何能得到维持.

关键词： 量子环 SiGe 生长 量子点 形成机制

作者: 李防化 蒋最敏

作者单位: 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 299-301

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）