SiC半导体二维自旋磁极化子能量的研究
在考虑电子自旋和声子之间相互作用情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC内弱耦合二维磁极化子能量的影响.数值计算结果表明:自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加分裂间距增大;自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比与B无关,恒为0.23;自旋能量与自能之比小于自旋能量与自陷能之比,但非常接近,其比值随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,其比值分别为0和0.008;自旋能量与声子之间相互作用能之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分别为0和1.该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等.
SiC 自旋电子学 自陷能 磁场效应 弱耦合
李子军 王子安 房本英 李岗
烟台大学光电学院,山东,烟台,264005 内蒙古民族大学物理系,通辽,028043
国内会议
北京
中文
291-294
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）