两种自主开发的图形外延SiGe工艺研究

摘要：

本文使用清华大学微电子学研究所自主研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/Poly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,研究开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.

关键词： 图形外延 SiGe 超高真空化学气相淀积

作者: 徐阳 王飞 许军 刘志弘 钱佩信

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 256-259

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）