中子辐照缺陷的机理研究
高能粒子辐照硅单晶,入射粒子会与硅原子发生库仑作用、电磁作用或核反应,引起粒子能量的损失.晶格位受碰撞的原子获得的能量大于硅原子的位移能量阀值时,就会在晶体中产生空穴和自间隙原子对.他们会与硅单晶中的氧、氮、磷等杂质发生反应形成复合体,这些复合体对硅单晶原有的掺杂起补偿作用,使材料的电学性能发生改变.空位相关的复合体还会对硅单晶后续热处理过程中热施主、新施主、氮氧复合体及氧沉淀的形成产生影响.因此很有必要对辐照缺陷作一综述.
硅单晶 辐照缺陷 热处理技术
李兴华
河北工业大学,材料学院信息与功能材料研究所
国内会议
北京
中文
249-255
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）