沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响

摘要：

利用ISETCAD器件模拟工具,本文模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,通过模拟我们分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性、开关态电流等器件特性的影响.

关键词： MOSFET器件 沟道应力 深亚微米 形变势垒模型 阈值电压 亚阈特性 开关态电流

作者: 吴涛 刘晓彦 杜刚 康晋锋 韩汝琦

作者单位: 北京大学微电子学系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 245-248

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）