隧道氧化层的击穿电荷量特性与EEPROM耐久性评价

摘要：

本文利用MOS电容测试结构研究了恒定电流应力下击穿电荷量QBD的特性.研究表明QBD与电流密度和电流方向有关.QBD随着电流密度的增大而减小,正电流偏置应力下的QBD较大,通过物理模型详细解释了实验现象.论文最后给出了评价EEPROM耐久性的QBD测试方法.当QBD＞5C/cm2时,EEPROM擦/写次数可超过10万次.

关键词： 击穿电荷量 EEPROM 耐久性 隧道氧化层 超大规模集成电路 失效

作者: 阙金珍 刘红侠 李蕾蕾

作者单位: 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 233-236

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）