基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型发展

摘要：

本文提出一种完全不同的基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型。针对无掺杂对称双栅MOSFET结构，该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来。

关键词： 双栅MOSFET 解析模型 载流子方法 CMOS器件

作者: 何进 牛旭东 宋岩 张兴 王阳元

作者单位: 北京大学微电子学院,北京,100871 北京大学深圳研究生院,深圳,518055

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 219-223

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）