应变硅结构的高分辨X射线衍射术及其图谱分析

摘要：

本文运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.

关键词： 三轴晶衍射 高分辨X射线双晶衍射 晶体结构 应变硅结构 图谱分析

作者: 马通达 屠海令 邵贝羚 刘安生 胡广勇

作者单位: 北京有色金属研究总院,国家半导体材料工程研究中心,北京,100088;北京有色金属研究总院,国家有色金属及电子材料分析检测中心,北京,100088 北京有色金属研究总院,国家半导体材料工程研究中心,北京,100088 北京有色金属研究总院,国家有色金属及电子材料分析检测中心,北京,100088

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 215-218

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）