InP HBT发射结微短路现象研究

摘要：

本文针对磷化铟基(InP)自对准异质结双极型晶体管(HBT)工艺过程中,基极与发射极之间发生微短路造成HBT失效的各种现象进行分析,建立理论模型,分析微短路产生这些现象的原因,并提出避免HBT发射结微短路的一些方法.

关键词： 异质结双极型晶体管 自对准技术 磷化铟基 微短路 失效 发射结

作者: 于进勇 苏树兵 刘新宇 夏洋 申华军 樊宇伟

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 199-202

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）