微波功率SiGe HBT的温度特性及分析
本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性方面证明了SiGeHBT更适合做微波功率器件.
异质结双极型晶体管 温度特性 微波功率晶体管
杨经伟 金冬月 张万荣 邱建军 高攀
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 辽宁大学物理系,沈阳,110036
国内会议
北京
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192-195
2005-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)