关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究

摘要：

软击穿(SBD)效应是5nm以下的SiO2主要失效模式.于是,软击穿就成为现代超薄绝缘栅集成电路的关键可靠性问题之一.本文主要研究了SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构。

关键词： SiO2 软击穿 电流路径 微观几何结构

作者: 谭长华 许铭真

作者单位: 北京大学微电子研究院,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 173-174

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）