超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究

摘要：

本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(PDO)研究了超薄Si02在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关.基于缺陷散射机制,得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.

关键词： 超薄SiO2 软击穿 栅电流 饱和性质 I-V特性 电子速度饱和 比例差值方法

作者: 许铭真 谭长华 段小蓉 何燕冬

作者单位: 北京大学微电子研究院,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 169-172

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）