Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究
Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI1287,主要测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位,动电位扫描.开路电位结果显示在PH值等于10时,出现钝化行为,当PH等于11时,钝化开始向活化转变,当PH为12时,薄膜一直处于活化状态.在动电位扫描过程中,在不同的PH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状是相似的,变化也不大,说明薄膜腐蚀的反应机理是相同的.利用电化学实验结果,配置出GST抛光液,用于相变存储器的结构制作过程中.
Ge2Sb2Te5 相变存储器 化学机械抛光 电化学 抛光液
刘奇斌 张楷亮 王良咏 封松林 宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程研究中心,信息功能材料国家重点实验室,中国科学院研究生院
国内会议
北京
中文
125-128
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）