新型栅电极材料-金属栅

摘要：

随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅栅面临的这些问题.本文主要介绍了五种主要的金属栅制备工艺.

关键词： 金属栅 难熔金属 多晶硅耗尽效应 硼穿通

作者: 周华杰 徐秋霞

作者单位: 中国科学院微电子研究所,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 104-108

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）