甚大规模集成电路硅衬底CMP浆料与技术的研究

摘要：

碱性介质下集成电路硅衬底CMP的磨削速率与化学和机械两种作用有关,我们得到了硅衬底CMP的数学模型V=KPP(n-7)Tv.CMP浆料的悬浮性,粘度,表面张力,流动性都会对CMP的质量产生影响.我们通过实验找到了一种无毒无害,易溶于水,挥发性小,能生物降解,有利于环保的硅衬底CMP浆料.大量实验证明能够达到较好的应用效果.

关键词： 大规模集成电路 硅衬底 CMP 浆料

作者: 李薇薇 周建伟 刘玉岭 王胜利

作者单位: 河北工业大学,微电子研究所,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 92-95

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）