Si基外延GaN中位错的湿法化学腐蚀

摘要：

本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观测样品的腐蚀形貌,研究了腐蚀时间、腐蚀液温度与浓度对腐蚀形貌的影响.化学腐蚀可显示GaN中位错的传播情况且腐蚀坑密度与样品晶体质量存在对应关系,并对其机理进行了讨论.

关键词： GaN 湿法腐蚀 原子力显微镜 扫描电子显微镜 化学气相沉积

作者: 赵丽伟 郭宝平 刘彩池 郝秋艳 滕晓云 朱军山 孙世龙 王海云 徐岳生 冯玉春

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130 深圳大学光电子学研究所,深圳,518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 80-83

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）