n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的研究

摘要：

本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/N+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单,性能优良的优点.

关键词： SiC 欧姆接触 多晶硅 异质结 器件仿真软件

作者: 张林 张义门 张玉明 汤晓燕

作者单位: 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 39-42

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）