微晶硅TFT反常的不稳定行为

摘要：

本文在一种有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅TFT内,测试其应力衰退特性时,观察到某种”自恢复”的衰退现象.即当栅和源漏同时施加偏压应力时,测试其源漏电流随时间的变化,则发现电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用常规偏压应力模式检测时,电流随时间几乎呈指数式下降的正常衰退趋势.文章就此现象进行了初步探讨.

关键词： 薄膜晶体管 稳定性分析 微晶硅

作者: 吴春亚 李娟 赵淑云 刘建平 孟志国 熊绍珍

作者单位: 南开大学光电子所,天津,300071,中国

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 562-565

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）