新结构InGaP/GaAs HBT的研制

摘要：

本文在U型发射极结构基础上，提出了一种新结构HBT.该器件工艺简单,可靠性好,成品率高,而且仍然具有U型发射极HBT良好的的击穿、直流和高频特性.

关键词： 双极晶体管 晶体管结构 半导体材料

作者: 杨威 刘训春 朱晻 王润梅 申华军 刘新宇

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 554-557

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）