100V高压PMOS器件研制

摘要：

本文研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压PMOS器件.首先利用SynopsysTCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μmN阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-138V,栅压-100V时驱动能力达17mA(宽长比=50),可以在100V电压下安全工作.

关键词： 高压集成电路 芯片设计 厚栅氧

作者: 宋李梅 李桦 杜寰 夏洋 韩郑生

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 546-549

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）