采用电阻加固的抗单粒子辐照SOI SRAM单元

摘要：

本文提出利用电阻加固的SRAM单元,采用去耦电阻加固单元时,应该注意去耦电阻随工艺加工和温度的变化,进而在设计中给予充分的考虑.通过对单元的仿真,可以估算去耦电阻的阻值.

关键词： 静态存储器 单粒子辐照 去耦电阻

作者: 郭天雷 韩郑生 张正选 张恩霞 愈文杰

作者单位: 中国科学院微电子研究所一室,北京,100029 中国科学院上海微系统与信息研究所,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 539-541

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）