基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟

摘要：

本文对从第一原理出发,高效率地计算沟道区的能带结构进行了研究.文章在得到载流子的输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上,通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性.考虑到应力对能带结构和散射机制的影响,同时对载流子迁移率与晶向的关系进行了研究.

关键词： 集成电路 能带计算 纳米尺度 器件模拟

作者: 余志平 田立林

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 22-25

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）