金属栅/高K栅介质:亚45纳米CMOS技术的需求

摘要：

本文对金属栅与高K栅介质研究发展中的一些关键问题和相关的解决方案进行了系统的讨论和研究。文章围绕高K栅介质材料的选择、高K栅介质的按比例缩小能力、高K栅介质集成的工艺兼容性、双金属栅的需求与集成、金属栅/高K栅介质的可靠性进行了论述。

关键词： 集成电路 栅介质材料 双金属栅

作者: 康晋锋

作者单位: 北京大学微电子研究院,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 17-21

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）