快速热处理对氮化硅薄膜影响的研究

摘要：

本文分别在氢气、氮气和氧气氛下对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱的变化.结果发现退火后氮化硅薄膜变得致密,折射率升高,抗高氧化性能提高,并且退火时间长短对这些性能的变化没有影响.

关键词： 氮化硅薄膜 快速热处理 等离子体化学气相沉积

作者: 马丽芬 勾宪芳 许颖 励旭东 王文静 任丙彦

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 北京市太阳能研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 287-289

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）