多晶硅太阳电池PECVD沉积氮化硅薄膜研究

摘要：

用PECVD法通过改变”NH3”/”SiH4:N2”流量比沉积了SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、红外吸收光谱(IR)及反射谱对氮化硅薄膜特性进行了研究,并获得了沉积氮化硅后硅片高寿命,高折射率、氢含量高钝化效果好、反射率低的工艺条件.

关键词： 多晶硅太阳电池 等离子体化学气相沉积 氮化硅薄膜

作者: 勾宪芳 马丽芬 许颖 励旭东 王文静 任丙彦

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130;北京市太阳能研究所,北京,100083 北京市太阳能研究所,北京,100083 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 283-286

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）