一种新型检验键合(SDB/SOI)硅片界面缺陷的方法
本文介绍利用兆声波检查已经键合完成的硅片,硅片界面是否存在有缺陷.通过磨片将器件层的大部分厚度磨掉,然后兆声波利用去离子水作为介质对整个硅片表面进行扫射来检查硅片界面是否存在有缺陷,通过实验和具体工作中应用发现,能够非常准确的检验出硅片界面是否存在缺陷,是一种非常有效的方法.
键合硅片 兆声波 空洞 界面缺陷
冯建 毛儒焱 吴建 王大平
中国电子科技集团公司第二十四研究所重点实验室,400060
国内会议
北京
中文
277-279
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）