半导体材料β-FeSi2的外延生长及发光二极管的研制

摘要：

过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源、探测器、太阳能电池以及热电器件等有发展前景的硅基材料之一.本文采用分子束外延系统在Si(100)衬底上外延生长了β-FeSi2颗粒并系统地表征了材料的结构和性质.研制出工作波长约为1.6微米的室温发光二极管.

关键词： β-FeSi2 光学性质 发光二极管 外延生长

作者: 李成 赖虹凯 陈松岩 末益 崇 长谷川 文夫

作者单位: 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建省,厦门,361005 日本筑波大学物理工学系,日本筑波

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 273-276

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）