应变硅技术

摘要：

随着集成电路产业的发展,采用传统的缩小晶体管尺寸的方法来提高晶体管性能越来越受到成本和技术的限制.寻找新材料,新衬底,新器件结构成为进一步提高晶体管性能的首选.本文主要介绍了应变硅技术.

关键词： SOI 应变硅 晶体管性能

作者: 周华杰 徐秋霞

作者单位: 中国科学院微电子研究所,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 52-56

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）