达林顿结构的低噪声SIGE MMIC

摘要：

本文介绍了一种利用SIGE技术的低噪声SIGE微波放大电路.这一电路以达林顿结构的形式级联,包括两个HBT和四个电阻.HBT采用准自对准结构,其SIGE基区为非选择性外延.频率为1GHZ下电路噪声为1.59dB,功率增益为14.3dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0.

关键词： 微波放大器 达林顿结构 电路设计

作者: 鲁亚诗 张伟 李高庆

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 531-534

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）