集成化SiGe异质结双极晶体管工艺研究

摘要：

本文采用双层多晶硅自对准器件结构,利用多晶硅发射极技术与UHV/CVD图形外延SiGe基区技术,研究开发了适用于集成化的平面结构SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件工艺,取得了初步的实验结果.

关键词： 双极晶体管 介质隔离 工艺设计

作者: 王飞 徐阳 许军

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 527-530

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）