S波段20W新结构硅脉冲功率晶体管
本文设计了一种新型结构的双极型微波功率晶体管.该器件采用掺砷发射极多晶硅工艺,多晶硅条长度采用线性变化的方式从边缘到中心按比例减少,以获得均匀一致的发射结结温.为提高功率器件BC结的反向击穿电压,器件引入了深槽隔离工艺,与采用隔离环技术的功率器件相比,将反向击穿电压提高了25-30V左右.在S波段脉冲输出功率大于20W(32V),脉宽l00μs,占空比10﹪,增益大于10dB,效率大于41﹪,器件表现出良好的微波特性和较高的可靠性.
功率晶体管 晶体管结构 隔离工艺
金海岩 张利春 高玉芝 孟宪馨 宁宝俊 张广勤
北京大学微电子研究院,100871
国内会议
北京
中文
518-521
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）