具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制
本文系统研究了AlGaN/GaNHEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-7Ω.cm2的欧姆接触,并在此基础上对AlGaN/GaNHEMT欧姆接触形成机理进行了深入讨论.通过器件工艺的优化,研制了高性能的AlGaN/GaNHEMT器件.栅宽40微米的器件跨导达到250ms/mm,fT达到70GHz;栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm(Vg=0.5v),Vds=30V时,8GHz工作频率下(在片测试)器件的输出功率为32.5dBm(1.6W),输出功率密度达到2.14W/mm,功率增益为12.7dB.
功率器件 化合物半导体 欧姆接触 功率密度
刘键 李诚瞻 魏珂 和致经 刘新宇
中国科学院微电子研究所,北京,100029
国内会议
北京
中文
508-512
2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）