PECVD SiC材料刻蚀技术研究

摘要：

在MEMS器件中,SiC材料的使用已经越来越广泛,因此形成一套可以满足兼容性和可控性要求的标准工艺显得十分重要.本文通过对PECVDSiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率以及压强分别对于刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证了ICP刻蚀过程中负载效应的存在.

关键词： PECVD碳化硅 反应离子刻蚀 电感耦合离子刻蚀 氢含量 功率 压强 刻蚀速率

作者: 陈晟 李志宏 张国炳 郭辉 王煜 田大宇 李素兰 边伟

作者单位: 北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 25-28

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）